时间：2025/6/14 17:33:33
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NTGD4161P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品的电路设计中。
这款MOSFET的主要特点是其出色的开关性能和高效率，能够在高频率下保持较低的损耗。此外，它还具有良好的热稳定性和可靠性，非常适合需要长时间稳定运行的设备。
型号：NTGD4161P
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.8mΩ
ID（连续漏极电流）：130A
Qg（栅极电荷）：75nC
fsw（最大工作频率）：1MHz
Ptot（总功耗）：195W
Tj（结温范围）：-55℃ to +175℃
NTGD4161P具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，仅为2.8毫欧，从而减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力，最大支持130A的连续漏极电流，确保在大功率应用中的稳定性。
3. 快速开关性能，得益于其较小的栅极电荷Qg（75nC），能够有效降低开关损耗。
4. 支持高达1MHz的工作频率，适合高频应用环境。
5. 较宽的工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应各种极端条件下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
这些特性使得NTGD4161P成为许多高效率、高性能功率转换系统中的理想选择。
NTGD4161P主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 消费类电子产品中的负载切换
6. 工业自动化设备
由于其出色的性能和可靠性，该MOSFET特别适合需要高效能量转换和快速响应的应用场景。
NTGD4160N, NTGD4165P
