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NTF6P02T3G 时间：2023/4/12 11:27:30 阅读：601

NTF6P02T3G技术参数

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：50

最大漏极电流Id(on)(A)：6

通道极性：P沟道

封装/温度(℃)：SOT-223/-55 ~150

描述：-20 V, -6.0A功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

NTF6P02T3G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTF6P02T3G
深圳市金灿利电子科技有限公司
1285
ON
2023+/SOT223

NTF6P02T3G
中扬电子（深圳）有限公司
9000
ON/安森美
-/21+

NTF6P02T3G
深圳市念芯电子有限公司
4000
ON/安森美
22+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市小联小商贸有限公司
6740
ON
23+/SOT223

NTF6P02T3G
现代芯城（深圳）科技有限公司
15900
一级代理
NEW/NEW

NTF6P02T3G
重庆深宝晨科技有限公司
4000
ON/安森美
2209+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市广弘电子有限公司
22503
ON/安森美
SOT223/19+

NTF6P02T3G
深圳市泰强达电子有限公司
4000
ON
22+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市意好科技有限公司
2360
ON
23+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市鹏先达电子有限公司
8000
ON
SOT223/2228+

NTF6P02T3G
深圳市佳蓓电子有限公司
30000
ON
22+/N/A

NTF6P02T3G
富昌源电子(深圳)有限公司
4000
ON/安森美
2209+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市优尚半导体科技有限公司
4000
ON/安森美
23+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市讯运电子有限公司
669410
ORSEMI/安森美
22+/SOT2234/TO2614D

NTF6P02T3G
深圳市汇芯诚电子科技有限公司
3219
ON/安森美
21+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市芊诚科技电子有限公司
86222
ON/安森美
2024+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市中元伟业电子商行
60000
CCSEMI/芯能量
23+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市硅诺电子科技有限公司
89000
ON
18+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳诚思涵科技有限公司
6740
ON
2023+/SOT223

NTF6P02T3G
深圳市富利微电子科技有限公司
30000
ON/安森美
22+/SOT223

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型号
描述
品牌
阅览下载

NTF6P02T3G
Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts
ONSEMI
阅览

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IC词条百科

NTF6P02T3G产品

NTF6P02T3G参数

标准包装4,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 6A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 16V
功率 - 最大8.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)
其它名称NTF6P02T3GOSNTF6P02T3GOS-NDNTF6P02T3GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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