时间：2025/6/14 17:40:49
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NTF5P03T3G 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 ON Semiconductor 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能开关应用。
NTF5P03T3G 的封装形式为 TO-263 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），并广泛应用于直流电机控制、负载开关、电源管理以及逆变器等领域。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：18A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：3.7mΩ
总栅极电荷：12nC
功耗（最大）：35W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
NTF5P03T3G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在较低的工作温度下能够显著减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，确保在高频操作中的低开关损耗。
3. 较高的雪崩击穿能量（EAS），增强了器件的鲁棒性以应对瞬态过载情况。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
5. 小型化 DPAK 封装，简化了 PCB 设计流程，并支持更高的功率密度。
6. 稳定的电气性能和可靠的机械结构，适用于苛刻的工作环境。
NTF5P03T3G 被广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动中的高低边开关。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器及 UPS 不间断电源。
5. 汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）、刹车防抱死系统（ABS）等。
6. 各类消费电子产品中的功率管理模块。
NTMFS5C702N, IRFZ44N, FDP55N06L
