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NTF3055L108T1G 发布时间 时间:2025/6/5 21:57:19 查看 阅读:23

NTF3055L108T1G 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),由 ON Semiconductor 公司生产。该器件采用 TO-263 封装形式,适合用于高效率、低功耗的开关应用。其设计旨在提供低导通电阻和高开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
  NTF3055L108T1G 的主要特点是具有较高的电流承载能力,同时具备出色的热性能,这使其在各种功率转换电路中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:58A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:1.4mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗:170W
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

NTF3055L108T1G 提供了多种优异的性能特点:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适用于需要大电流输出的应用场景。
  3. 快速开关特性,支持高频操作,减少开关损耗。
  4. 强大的散热能力,得益于 TO-263 封装形式,可有效将热量传递到散热器。
  5. 宽广的工作温度范围,确保在极端环境下仍能稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

NTF3055L108T1G 可用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器或主开关管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 大功率 LED 驱动电路。
  6. 各类 DC/DC 转换器模块。

替代型号

NTMFS4C620N, IRF540N, FDP55N06L

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NTF3055L108T1G参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 1.5A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTF3055L108T1GOSTR