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NTF3055-160T3LF 发布时间 时间:2025/5/9 12:28:48 查看 阅读:6

NTF3055-160T3LF是一款NPN型双极性晶体管,广泛应用于功率放大、开关电路等领域。该晶体管采用先进的半导体制造工艺,具备较高的电流增益和良好的高频特性。其封装形式为TO-252(DPAK),具有较小的体积和良好的散热性能,适合在空间受限的电路中使用。
  该型号属于Onsemi(安森美)公司旗下的产品,主要面向消费电子、工业控制以及通信设备等应用领域。

参数

集电极-发射极电压:60V
  集电极电流:4A
  直流电流增益(hFE):最小值50,典型值100
  热阻(结到外壳):50℃/W
  功耗:12.5W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

NTF3055-160T3LF具有高电流承载能力、低饱和电压以及快速开关速度等优点。具体特性如下:
  1. 高电流增益,能够有效提升驱动能力。
  2. 封装紧凑,占用较少的PCB面积。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  4. 高额定电压和电流,适用于多种负载条件。
  5. 内部优化设计,确保较低的导通损耗和开关损耗。
  6. 符合RoHS标准,环保且兼容现代生产要求。

应用

该晶体管适用于以下场景:
  1. 开关电源中的开关元件。
  2. 各类电机驱动电路。
  3. 信号放大器或功率放大器中的核心器件。
  4. 保护电路中的过流检测与控制部分。
  5. LED驱动器和照明控制系统。
  6. 工业自动化设备中的接口电路。
  7. 通信设备中的信号调节与处理模块。

替代型号

NTF3055T3G
  NTF3055
  KSP2222
  MJE188
  2SC5200

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NTF3055-160T3LF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTF3055-160T3LFOS