时间：2023/4/13 10:31:48
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NTE4151PT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：360
最大漏极电流Id(on)(A)：0.760
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SC-89/-55 ~150
描述：-20 V, -760 mA,功率MOSFET
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
