时间：2025/7/8 23:02:05
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NTD60N03T4是一种N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
其设计适用于高效率功率转换场景，同时具备良好的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：60A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：1.8mΩ
总栅极电荷：79nC
输入电容：1280pF
工作结温范围：-55℃至150℃
NTD60N03T4具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为1.8mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 高电流承载能力，能够承受高达60A的连续漏电流。
3. 快速开关性能，总栅极电荷低至79nC，适合高频应用。
4. 良好的热性能，使其能够在恶劣环境下长期运行。
5. 小巧的TO-252封装便于PCB布局和散热管理。
NTD60N03T4适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 电池管理系统中的负载切换开关。
5. 各种工业设备中的功率控制模块。
NTD60N03L, IRFZ44N, FDP5500
