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NTD60N02R-001 发布时间 时间:2025/7/22 18:49:11 查看 阅读:6

NTD60N02R-001 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流能力。NTD60N02R-001 采用 DPAK(TO-252)封装,适用于需要紧凑设计和高散热性能的电路。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):60A
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻 RDS(on):最大值为 2.1mΩ @ VGS = 10V
  功率耗散:100W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

NTD60N02R-001 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,该器件具有较高的额定电流能力(60A),适合用于大电流负载的应用。其 DPAK 封装提供了良好的散热性能,同时保持较小的 PCB 占用空间。
  这款 MOSFET 具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并且具有较低的开关损耗,适合高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 20V),便于与多种驱动电路兼容。此外,NTD60N02R-001 还具有较高的抗雪崩能力,增强了器件在高能瞬态条件下的可靠性。
  在可靠性方面,该器件符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子应用。同时,它具有良好的耐用性和长期稳定性,适合用于要求较高的工业和消费类电子产品。

应用

NTD60N02R-001 广泛应用于各种功率电子设备中,包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力,特别适合用于同步整流、高效率电源转换以及高功率密度设计。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电动助力转向(EPS)系统以及电池保护电路。在工业自动化和控制系统中,它常用于电机驱动和功率开关应用。此外,该 MOSFET 还可用于高性能计算设备的电源管理模块,以提高能效和降低功耗。

替代型号

NTD60N02R, NTD60N02LT, NTD60N02R-001G, FDD6680, SiR340DP

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NTD60N02R-001参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压25 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流62 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0084 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Tube
  • 下降时间33 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)27 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.87 W
  • 上升时间33 ns
  • 工厂包装数量75
  • 典型关闭延迟时间19 ns