NTD60N02R-001 时间：2025/7/22 18:49:11 阅读：6

NTD60N02R-001 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力。NTD60N02R-001 采用 DPAK（TO-252）封装，适用于需要紧凑设计和高散热性能的电路。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：最大值为 2.1mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

NTD60N02R-001 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件具有较高的额定电流能力（60A），适合用于大电流负载的应用。其 DPAK 封装提供了良好的散热性能，同时保持较小的 PCB 占用空间。
　　这款 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并且具有较低的开关损耗，适合高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），便于与多种驱动电路兼容。此外，NTD60N02R-001 还具有较高的抗雪崩能力，增强了器件在高能瞬态条件下的可靠性。
　　在可靠性方面，该器件符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子应用。同时，它具有良好的耐用性和长期稳定性，适合用于要求较高的工业和消费类电子产品。

应用

NTD60N02R-001 广泛应用于各种功率电子设备中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于同步整流、高效率电源转换以及高功率密度设计。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）系统以及电池保护电路。在工业自动化和控制系统中，它常用于电机驱动和功率开关应用。此外，该 MOSFET 还可用于高性能计算设备的电源管理模块，以提高能效和降低功耗。