时间：2025/5/30 14:15:42
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NTD5865NLT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
其封装形式为 LFPAK88（Power SO-8），能够提供卓越的散热性能和紧凑的设计方案，适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：121A
导通电阻：0.75mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：375pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
NTD5865NLT4G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，使其非常适合大电流负载的应用。
3. 快速开关性能，可以有效减少开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑型电路板上布局。
5. 支持宽广的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机控制与驱动。
4. 电池管理系统（BMS）。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 通信及消费类电子产品中的高效功率管理解决方案。
NTMFS4C66N, IRL3803PBF, AO3402A
