时间：2025/5/27 19:03:52
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NTD5807NT 是一款 N 沣道通（ON Semiconductor）公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用逻辑电平栅极驱动设计。它属于 NMOS 器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在高频应用中使用。
型号：NTD5807NT
类型：NMOS
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压 VDS：30V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：18A
导通电阻 RDS(on)：4.5mΩ @ VGS=10V
总功耗 PD：79W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NTD5807NT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可有效降低传导损耗，提升效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 逻辑电平栅极驱动兼容性，便于与各种控制器配合使用。
4. 强大的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。
5. 小型化封装 TO-263，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NTD5807NT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动器中的功率开关。
3. 负载切换电路中的电子开关。
4. LED 驱动器中的功率控制元件。
5. 电池管理系统中的保护开关。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理单元。
NTD5806N, IRF540N, FDP5800
