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NTD5807NT 发布时间 时间:2025/5/27 19:03:52 查看 阅读:7

NTD5807NT 是一款 N 沣道通(ON Semiconductor)公司生产的功率 MOSFET 芯片,采用逻辑电平栅极驱动设计。它属于 NMOS 器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在高频应用中使用。

参数

型号:NTD5807NT
  类型:NMOS
  封装:TO-263 (DPAK)
  最大漏源电压 VDS:30V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  连续漏极电流 ID:18A
  导通电阻 RDS(on):4.5mΩ @ VGS=10V
  总功耗 PD:79W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

NTD5807NT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),可有效降低传导损耗,提升效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用。
  3. 逻辑电平栅极驱动兼容性,便于与各种控制器配合使用。
  4. 强大的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 小型化封装 TO-263,节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

NTD5807NT 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流电机驱动器中的功率开关。
  3. 负载切换电路中的电子开关。
  4. LED 驱动器中的功率控制元件。
  5. 电池管理系统中的保护开关。
  6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理单元。

替代型号

NTD5806N, IRF540N, FDP5800

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