您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTD5406NG

NTD5406NG 发布时间 时间:2025/6/3 16:31:18 查看 阅读:7

NTD5406NG是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率开关和负载控制领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点。NTD5406NG适用于各种需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
  这种MOSFET的主要用途包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电源管理和保护电路等。其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能和机械稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):27mΩ
  总功耗:115W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  栅极电荷:38nC
  反向恢复时间:40ns

特性

NTD5406NG具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用。
  3. 高雪崩能力,增强了在异常情况下的鲁棒性。
  4. 较小的栅极电荷和输出电容,有助于降低驱动功耗。
  5. 工作温度范围宽广,能够在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

NTD5406NG适用于多种工业和消费电子领域,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电池保护电路和负载切换。
  3. 各类电机驱动和控制应用。
  4. 通信设备中的信号调节和功率管理。
  5. 汽车电子中的继电器替代和功率分配。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

NTD5406N, IRF540N, FDP5406

NTD5406NG推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTD5406NG参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 32V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件