时间：2025/6/30 9:51:29
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NTD50N03T4G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电路中。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适合高效率和高频应用。
最大漏源电压：30V
最大漏极电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：26nC
开关时间：典型值t_on=8ns，t_off=27ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
NTD50N03T4G采用先进的制造工艺，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速的开关性能，适用于高频电路设计。
3. 较高的电流承载能力，满足大功率应用场景的需求。
4. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 小尺寸封装，便于PCB布局优化。
这款MOSFET可以用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 大电流负载的开关控制。
NTD50N03L, IRF540N, FDP55N06L
