时间：2025/6/18 12:22:55
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NTD4969NT4G-UDU是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件广泛应用于各种电源管理场合，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。其低导通电阻的特性能够有效降低功耗，提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
最大漏极电流：8.6A
导通电阻（典型值）：15mΩ
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃至150℃
NTD4969NT4G-UDU具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中减少发热并提升效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关电源设计。
3. 高雪崩耐量能力，确保在异常条件下也能稳定工作。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 紧凑的TO-252封装使其适用于空间受限的应用场景。
这款MOSFET适合用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统中的充放电控制。
4. 消费电子设备中的小型化电源解决方案。
5. 电机驱动及逆变器中的功率级元件。
NTD4969N, IRF7404, AO3400
