时间：2025/6/11 19:33:26
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NTD4963NT4G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor（安森美）生产。该器件采用TO-263封装形式，适用于高频开关应用和负载切换等场景。其设计目标是提供低导通电阻以减少功率损耗，并支持高电流处理能力。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗：78W
工作结温范围：-55℃至+150℃
NTD4963NT4G具有非常低的导通电阻，这使其非常适合于需要高效功率转换的应用。此外，该器件还具备快速开关速度，能够减少开关损耗。
由于其较高的电流承载能力和良好的热性能，这款MOSFET广泛用于DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
它采用了表面贴装的TO-263封装，有助于简化PCB布局并提高系统的可靠性。
主要应用于计算机及外设中的电源管理模块，例如主板VRM电路；消费类电子产品中的适配器和充电器；工业控制设备中的电机驱动电路；通信设备中的电源解决方案以及其他需要高性能功率开关的应用领域。
NTD4960N, IRFZ44N, FDP55N06L
