时间：2025/6/16 22:17:55
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NTD4909NT4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263-3 封装。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效功率控制的场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.7mΩ
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
NTD4909NT4G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，适用于高效率设计。
2. 快速开关速度，有助于提高开关频率并减小磁性元件体积。
3. 高雪崩能量能力，提供更强的过载保护性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。
6. 较宽的工作温度范围，适合各种恶劣环境下的应用。
该功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
3. 电机驱动中的桥式电路。
4. 电池保护及负载切换电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类消费电子产品的功率管理部分。
NTD4908N, IRFZ44N, FDP55N06L
