时间：2025/6/30 17:02:08
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NTD4906N-35G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它适用于多种电力电子应用场合，例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载切换等。该器件采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，从而提高了效率并降低了功率损耗。
这款 MOSFET 的设计注重于高性能和高可靠性，适合用于需要快速开关和低功耗的应用环境。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：35A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
总电容：1240pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
NTD4906N-35G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 35A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷。
4. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
5. 具备出色的热性能和电气性能，适合高功率密度应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制与驱动，例如无刷直流电机和步进电机。
3. 各类电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向和制动系统。
5. 电信设备中的负载切换和电源管理。
6. 工业自动化设备中的功率转换和驱动控制。
NTD4906N, IRF3205, AO3400A
