时间：2025/4/29 12:18:13
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NTD4860NT4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件采用 TO-263-3 封装形式，广泛用于需要高效率、低导通电阻的开关应用中。这种 MOSFET 具有出色的开关性能和较低的导通损耗，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理等场景。
其设计目标是满足现代电子设备对高效能和小型化的需求，同时保持较高的可靠性和耐用性。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ
总功耗：115W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263-3
NTD4860NT4G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 较高的连续漏极电流能力，使其能够适应大功率应用场景。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 宽工作温度范围，适合恶劣环境中的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化设计中。
这些特点使得 NTD4860NT4G 成为工业、汽车和消费类应用的理想选择。
NTD4860NT4G 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池保护电路及负载开关。
3. 各种电机驱动和控制应用。
4. 电信设备中的电源管理模块。
5. 工业自动化和控制系统的功率级组件。
由于其优异的电气特性和稳定性，该器件特别适合要求高性能和高可靠性的场合。
NTD4860N, IRFZ44N, FDP5570N
