时间：2025/5/21 19:22:03
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NTD4858NT4G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，适用于广泛的开关和功率管理应用。该器件采用TO-263封装形式，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点。其设计主要用于电信、消费电子和工业设备中的电源转换和负载开关场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：11A
导通电阻（典型值）：40mΩ
总功耗：11W
工作结温范围：-55℃至150℃
NTD4858NT4G具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
5. TO-263封装提供良好的散热性能，能够支持更高的功率输出。
这款MOSFET广泛应用于各种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电机控制电路中的驱动元件。
3. 工业自动化系统中的负载切换。
4. 消费类电子产品中的电池管理和保护电路。
5. 通信设备中的信号路径隔离与功率分配。
NTD4958N, IRFZ44N, FDP5570
