时间：2025/5/27 10:53:41
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NTD4858N-35G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263-3 封装。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使其在功率转换应用中表现出色。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，具有较低的导通电阻和较高的连续漏极电流能力，能够在高频条件下实现高效能表现。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：57A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
输入电容：1020pF
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+150℃
NTD4858N-35G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 稳定的工作温度范围，支持高温环境中的可靠运行。
6. 采用行业标准的 TO-263-3 封装，便于安装和散热设计。
NTD4858N-35G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动和逆变器应用。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 汽车电子中的各种功率转换和控制功能。
6. 各类消费电子产品的高效功率管理模块。
NTMFS4858N, IRF3710, FDP018N03L
