时间：2025/6/19 13:09:38
阅读：3
NTD4813NHT4G-UDU是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于超低导通电阻的功率MOSFET，设计用于需要高效能和高开关速度的应用场景。这款器件采用了先进的制造工艺，具有出色的电气性能和热稳定性。其封装形式为DFN5*6-8L，能够适应紧凑型设计需求。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域，尤其是在电源管理、电机驱动和其他需要高效开关操作的场合。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.7mΩ
总栅极电荷：38nC
输入电容：3340pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
NTD4813NHT4G-UDU具有非常低的导通电阻，仅为1.7mΩ，这使得它在大电流应用中表现出较低的传导损耗，从而提高整体效率。
此外，它的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。
该器件还具备优秀的热性能，在高温环境下依然可以稳定运行，适用于严苛的工作条件。
由于采用了DFN5*6-8L封装，NTD4813NHT4G-UDU不仅节省空间，还能提供良好的散热能力，非常适合对体积敏感的设计。
这款MOSFET通常被用作同步整流器中的开关元件，出现在DC-DC转换器、负载点（POL）转换器等电路中。
在电池管理系统（BMS）中，它可以作为电池保护开关或充电放电控制开关。
另外，NTD4813NHT4G-UDU也适合于电机驱动、LED驱动器以及其他需要高性能功率开关的应用场景。
在工业自动化领域，该器件可用于各种类型的开关电源和功率逆变器中。
NTD4813NHT4G, NTD4813N
