时间：2025/6/18 11:26:37
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NTD4806NT4G 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用中。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻：3.5mΩ
总栅极电荷：45nC
输入电容：1680pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
NTD4806NT4G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，仅为 3.5mΩ，有助于减少导通损耗。
2. 高电流承载能力，额定连续漏极电流高达 17A，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，总栅极电荷仅为 45nC，降低了开关损耗。
4. 宽工作温度范围，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境下稳定运行。
5. 小封装尺寸，便于设计到紧凑型电路板中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于大规模生产。
NTD4806NT4G 可用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动器中的功率控制。
5. 各类工业和消费电子设备中的功率管理模块。
6. 高效能的功率转换应用，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
NTD4806N, IRFZ44N, FDP5560
