类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　最大连续漏极电流(ID)：300mA（在VGS=10V时）
　　导通电阻(RDS(on))：约3.5Ω（在VGS=10V，ID=150mA时）
　　最大功耗(PD)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

NTD3N02的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在导通状态下能够实现较低的功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提升整体性能。
　　由于其小尺寸的SOT-23封装，NTD3N02非常适合空间受限的设计，如便携式电子设备和小型电源模块。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在一定的温度范围内保持稳定工作。
　　NTD3N02的栅极驱动电压范围较宽，支持从逻辑电平到较高电压的驱动，提高了其在不同控制电路中的适用性。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅制造工艺。

NTD3N02广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 电池供电设备中的负载开关控制，如便携式仪表、手持设备和低功耗传感器。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件，用于提高转换效率。
　　3. 电源管理系统中用于电源路径切换或低电流开关应用。
　　4. 电机驱动或继电器替代方案中的小型开关电路。
　　5. 用于LED驱动、信号切换和逻辑电平转换等低功率控制电路。
　　6. 工业自动化设备和智能传感器网络中的低功耗开关控制。

2N7002, BSS138, FDV301N, NTD12N05LT4G