您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTD32N06LG

NTD32N06LG 发布时间 时间:2025/5/31 1:31:42 查看 阅读:8

NTD32N06LG 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),属于低电压应用领域中的高性能器件。该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用。其封装形式通常为 TO-252(DPAK),能够提供良好的散热性能。
  这款 MOSFET 的设计目标是满足高效率和紧凑型解决方案的需求,广泛应用于消费电子、工业设备和通信产品中。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):32A
  导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):2.1W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装:TO-252(DPAK)

特性

NTD32N06LG 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力(32A),使其适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,减少了开关损耗,适合高频操作环境。
  4. 强大的雪崩能力和抗静电能力(ESD),提升了器件的可靠性和耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代制造工艺需求。
  6. 小型化的封装设计,在保证性能的同时节省了 PCB 空间。

应用

NTD32N06LG 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  3. 工业自动化设备中的电机控制和驱动。
  4. LED 驱动电路和背光控制。
  5. 消费类电子产品中的电源管理和保护功能。
  6. 通信设备中的信号切换和功率分配。

替代型号

NTD32N06L, IRLZ44N, FDN368P

NTD32N06LG推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTD32N06LG参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 16A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件