时间：2025/5/8 16:14:28
阅读：4
NTD3055L104T4G是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（V(BR)DSS）使其非常适合高效能功率转换应用。此外，该MOSFET还具有极低的栅极电荷（Qg），从而有助于减少开关损耗并提高系统效率。
NTD3055L104T4G的设计注重优化动态性能与静态性能之间的平衡，同时保证了良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：78A
导通电阻：1.9mΩ
栅源电压：±20V
总栅极电荷：78nC
输入电容：2150pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用需求。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷设计。
4. TO-263封装提供出色的散热性能和易于安装的特点。
5. 广泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF3205
FDP17N30
STP10NK60Z
