时间：2025/5/22 0:41:11
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NTD2955VT4G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于超低导通电阻的功率MOSFET系列。该器件采用TO-263-3L封装形式，适用于多种开关和负载驱动应用。其主要特点是低导通电阻、高切换速度和出色的热性能，非常适合在高效率电源转换和电机驱动电路中使用。
NTD2955VT4G的工作电压范围宽广，能够承受较高的漏源极电压，并且具有较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。此外，它还具备强大的雪崩击穿能力，可以更好地保护电路免受瞬态电压尖峰的影响。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：11.8A
导通电阻：17mΩ
总栅极电荷：25nC
功耗：134W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NTD2955VT4G的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，仅为17mΩ，显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷和输出电荷。
3. 高额定电流（高达11.8A），支持大功率应用。
4. 支持广泛的电压范围，最高可承受60V漏源电压。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
6. 封装紧凑，易于焊接和集成到各种设计中。
7. 提供增强的ESD保护功能，确保更高的抗干扰能力。
NTD2955VT4G广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC转换器，用于笔记本电脑适配器和其他便携式设备。
3. 电机驱动电路，例如无刷直流电机控制。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、防抱死制动系统（ABS）和燃油喷射系统。
5. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代方案。
6. 电池管理系统的充放电控制。
NTD2955N3T1G, NTD2955N3T1GOS, NTD2955N3T1GOSTR
