时间：2025/5/29 17:17:45
阅读：8
NTD25P03LG是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于多种开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够满足高效能电源转换需求。
该型号主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高频开关操作的场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.7mΩ（典型值，于VGS=10V时）
栅极电荷：49nC（典型值）
开关时间：ton=13ns，toff=28ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
NTD25P03LG具有以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 较低的栅极电荷，可降低驱动功耗。
4. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 采用TO-263封装，便于散热和安装。
NTD25P03LG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中作为功率级开关。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器和逆变器。
5. 各类工业控制设备中的功率开关组件。
NTD25P03LH, NTD25P03LJ, IRF250N
