时间：2025/5/9 16:11:52
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NTD24N06T4G 是一款 N 沣道通半导体生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其电压等级为 60V，适合用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池保护电路等。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，体积小巧，非常适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：4.1A
导通电阻(Rds(on))：95mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.2V
总功耗(Ptot)：820mW
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +150℃
NTD24N06T4G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 小型化的 SOT-23 封装，适合便携式设备和空间受限的设计。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的要求。
NTD24N06T4G 广泛应用于各种电子电路中，主要包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. 便携式设备中的负载开关和电池保护。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. LED 照明驱动电路中的调光控制。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换和保护功能。
由于其紧凑的封装和高效的性能，NTD24N06T4G 成为了众多设计师的理想选择。
NTD24N06L, FDP5507, BSS138
