时间：2025/6/14 17:37:53
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NTD24N06LT4是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其封装形式为TO-263（DPAK），便于安装和散热，适合在需要高效能、低损耗的电路中使用。
这款MOSFET的设计目标是满足现代电子设备对效率和性能的要求，特别适用于消费电子、工业控制以及通信系统中的功率转换和电机驱动等场景。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：25mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：115W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263(DPAK)
栅极电荷(Qg)：38nC (典型值)
NTD24N06LT4的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件还具备快速开关能力，使其非常适合高频开关应用。其高电流承载能力和坚固的构造也使其能够承受较大的负载波动。同时，由于采用了标准的TO-263封装，它易于集成到现有的设计中，并且具有良好的热性能。
另外，NTD24N06LT4符合RoHS标准，确保了环保性和可持续性。对于需要紧凑型解决方案的应用，这款MOSFET提供了高性能与可靠性的平衡。
NTD24N06LT4广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池管理系统、电机驱动、LED照明驱动以及各种开关电源解决方案中。它的高电流容量和低导通电阻使得它成为大功率应用的理想选择。此外，由于其出色的热性能和可靠性，该器件也非常适合工业自动化设备中的功率控制模块。
在消费类电子产品中，例如笔记本电脑适配器或平板电视的电源部分，NTD24N06LT4同样表现出色。它还可以用于汽车电子领域，例如电动助力转向系统或车载充电器等需要高效功率转换的场合。
NTMFS4C606T, IRFZ44N, FDP250N06S
