时间：2025/6/17 9:33:49
阅读：4
NTD24N06G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用TO-252/DPAK封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率功率转换电路。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
输入电容：700pF
总功耗：1.8W
工作温度范围：-55℃至+150℃
NTD24N06G具有低导通电阻和快速开关性能，能够有效减少导通损耗和开关损耗，提高整体电路效率。
其封装形式为TO-252/DPAK，体积较小且散热性能良好，适合空间受限的应用环境。
此外，该器件具备出色的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作条件下保持正常运行。NTD24N06G在开关频率较高的应用中表现出优异的性能。
该MOSFET广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源中的同步整流
- DC-DC转换器的功率开关
- 电机驱动电路
- 负载开关
- 过流保护电路
- 笔记本电脑适配器
- 消费类电子产品中的功率管理模块
NTD24N06L, IRFZ44N, FDP18N06L
