时间：2023/4/12 11:40:40
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NTD20P06LT4G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：150
最大漏极电流Id(on)(A)：15.500
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：DPAK 4/-55 ~150
描述：-60 V, -15.5 A功率MOSFET
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
