类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 27mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：80W

NTD20N03L271 具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时最大为 27mΩ，这使得该器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次是其高电流处理能力，可支持高达 20A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
　　此外，该 MOSFET 使用了 PowerTrench? 技术，这种先进的制造工艺使得沟道结构更优化，从而降低了导通电阻并提升了热性能。器件的热阻（RθJC）较低，使得在高负载条件下仍能有效散热，保持稳定运行。
　　NTD20N03L271 的栅极驱动电压范围为 ±20V，适用于常见的 10V 或 12V 驱动电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高在高频开关应用中的性能。
　　该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性和耐用性。封装形式为 TO-252（DPAK），便于安装在 PCB 上，并具有良好的热管理能力。

NTD20N03L271 主要应用于各类电源管理系统中，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机控制器和电源分配系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效率、高密度电源设计。
　　在计算机电源、服务器电源、电信设备电源、工业控制设备和便携式电子设备中，NTD20N03L271 都能发挥出色的性能。由于其良好的热性能和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动工具和电动车辆的电源模块。
　　此外，在电机控制和马达驱动电路中，该 MOSFET 可作为高效的开关元件，提供快速响应和稳定的输出性能。

Si4410BDY, IRF3710, FDP20N03AL, NTD20N03R2