时间：2025/6/28 10:59:43
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NTD18N06LG是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于逻辑电平驱动系列，适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。该器件采用TO-252封装形式，额定电压为60V，适合用于消费电子、工业控制及电源管理等领域。
型号：NTD18N06LG
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源极电压(V_DS)：60V
最大栅源极电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：18A
导通电阻(R_DS(on))：40mΩ @ V_GS=10V
总功耗(P_TOT)：76W
工作温度范围(T_J)：-55℃ to +150℃
栅极电荷(Q_g)：19nC
NTD18N06LG具有低导通电阻（R_DS(on)），这使得其在高电流应用中能够有效降低功率损耗。
该器件支持逻辑电平驱动，允许使用较低的栅极驱动电压（如3.3V或5V），从而简化了设计并降低了驱动功耗。
其快速开关特性使其非常适合高频开关应用，例如DC-DC转换器和开关电源。
此外，NTD18N06LG具备较高的雪崩击穿能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
由于其紧凑的TO-252封装，这款MOSFET在空间受限的设计中也非常实用。
NTD18N06LG广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. DC-DC转换器中的功率开关
3. 电池保护电路
4. 消费类电子产品中的负载开关
5. 工业电机控制
6. 电信设备中的电源管理
7. 照明系统中的调光和调压控制
NTD18N06L
IRLB8721PBF
FDP16N06L
AONR1806
STP18NF06L
