时间：2025/6/30 9:49:18
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NTD14N03RT4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为低电压应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和可靠性方面表现出色。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理等场景。
该 MOSFET 的封装形式通常为 SOT-23，这种小型封装适合空间受限的设计环境。此外，NTD14N03RT4G 具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和良好的热性能，能够在高频开关条件下保持高效运行。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻 (Rds(on))：75mΩ (典型值，@ Vgs=4.5V)
栅极电荷：8nC
总电容：160pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTD14N03RT4G 提供了多种优越的特性，使其成为许多低功率应用的理想选择：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，可适应高频电路的需求。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，便于集成到紧凑型设计中。
4. 较宽的工作温度范围，确保在各种环境下稳定运行。
5. 高可靠性和耐用性，适合长期使用。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电池供电设备中的保护电路。
4. 小型电机驱动和控制。
5. 各种便携式电子产品的电源切换功能。
由于其低导通电阻和小封装，NTD14N03RT4G 在需要高效率和节省空间的应用中表现出色。
NTD14N03LTT4G, FDN340P, BSS138
