时间：2025/6/21 10:48:39
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NTD14N03R-001 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，由 ON Semiconductor 生产。该器件采用小型表面贴装封装，具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、电机驱动器和负载切换等应用中。
其设计旨在提供优异的开关性能和热稳定性，同时减少能量损耗，非常适合需要高效能和小体积的设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：12nC
功耗(Pd)：78W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTD14N03R-001 提供了非常低的导通电阻 (2.5mΩ)，这使其在大电流应用中表现卓越。此外，该器件的总栅极电荷较低，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
由于采用了先进的制程技术，NTD14N03R-001 具备出色的热稳定性，并且能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
此外，它还支持快速切换操作，从而减少了开关过程中产生的能量损失。这些特点使得该 MOSFET 成为高性能电力电子设备的理想选择。
NTD14N03R-001 适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源(SMPS)
- 直流-直流转换器(DC-DC converters)
- 电机驱动(Motor drivers)
- 负载切换(Switched-mode power supplies)
- 电池保护电路(Battery protection circuits)
- 可再生能源系统(如太阳能逆变器)
NTD14N03L-001, IRFZ44N, FDP55N06
