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NTD110N02RT4G 发布时间 时间：2023/4/11 9:51:40 查看 阅读：664

NTD110N02RT4G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：4.600

最大漏极电流Id(on)(A)：110

通道极性：N沟道

封装/温度(℃)：DPAK 4/-55 ~150

描述：24 V, 110 A功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTD110N02RT4G产品

NTD110N02RT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)24V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3440pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTD110N02RT4GOSNTD110N02RT4GOS-NDNTD110N02RT4GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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