类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：48A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：12.8mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PG-TO220-3

NTBL048N60S5H MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为12.8mΩ，在VGS为10V时，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的最大漏极电流为48A，漏源电压为60V，适用于中高功率应用。其35nC的栅极电荷值较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率。
　　此外，NTBL048N60S5H采用Infineon的OptiMOS?技术，优化了沟槽结构，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸，从而实现更紧凑的设计。该器件的封装形式为PG-TO220-3，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高热稳定性的应用场景。
　　NTBL048N60S5H的工作温度范围为-55°C至175°C，具备出色的热稳定性，适合在各种严苛环境中使用。同时，该MOSFET具有较高的耐用性和长期可靠性，适用于工业级和电信级应用。125W的功率耗散能力也使其在高负载条件下仍能保持良好的性能。

NTBL048N60S5H广泛应用于各种高效率电源系统，包括服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器以及工业自动化设备中的电源模块。其优异的导通和开关性能使其成为高性能电源转换器的理想选择。在服务器和数据中心电源系统中，该MOSFET能够有效提高能效，降低能耗，满足高密度电源需求。在电信电源系统中，其高可靠性和稳定性可确保长时间运行的稳定性。
　　此外，NTBL048N60S5H还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动车充电器等应用。其高功率密度和热稳定性使其在这些高功率和高温环境中表现出色。在电机控制和驱动电路中，该器件能够提供快速开关响应和低损耗特性，提高整体系统效率。由于其广泛的应用范围和优异的电气特性，NTBL048N60S5H成为工业电源设计中的重要组件。

IPB048N60S5-03, STD48N60M5, FDP048N60FPS