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NTBG160N120SC1 发布时间 时间:2025/9/3 20:20:08 查看 阅读:12

NTBG160N120SC1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高电压、高电流 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),适用于高功率和高频率应用。该器件设计用于工业电机控制、逆变器、电源转换系统和电动汽车充电设备等需要高效率和高可靠性的场景。NTBG160N120SC1 具有低导通压降和优化的开关损耗特性,使其在高温工作条件下仍能保持稳定性能。

参数

最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:160A(TC=25℃)
  最大功耗:450W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  短路耐受能力:6μs @ 15V栅极电压
  导通压降(VCE_sat):约2.15V(典型值,IC=160A)
  栅极电荷(Qg):约180nC(典型值)
  封装形式:TO-247AC

特性

NTBG160N120SC1 的主要特性之一是其优异的导通和开关性能结合。在高温条件下,其导通压降保持稳定,有助于降低整体系统损耗。该器件采用了先进的沟槽栅和场阻断技术,以实现更低的开关损耗和更高的短路耐受能力。此外,NTBG160N120SC1 的封装设计优化了热管理和电气绝缘性能,使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。
  该 IGBT 还具备良好的抗电磁干扰(EMI)能力,适用于高频开关操作。其栅极驱动要求适中,兼容常见的 IGBT 驱动器设计,便于系统集成。此外,NTBG160N120SC1 的制造工艺确保了良好的器件一致性与可靠性,适合在高功率密度应用中使用。
  为了提升器件的耐用性和安全性,NTBG160N120SC1 设计有内置的短路保护功能,能够在异常工况下防止器件损坏。这种特性在工业电机驱动和逆变器应用中尤为重要。

应用

NTBG160N120SC1 广泛应用于各种高功率电子系统中,包括工业电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电能储存系统和电动汽车充电设备。由于其具备高电压和大电流能力,该器件也适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统,如感应加热、焊接设备和轨道交通电力控制系统。
  在电机控制应用中,NTBG160N120SC1 可以实现快速响应和精确的功率调节,从而提高系统效率和稳定性。在可再生能源系统中,如光伏逆变器,该器件能够有效提升能量转换效率,并适应宽范围的输入电压波动。此外,在电动汽车充电系统中,NTBG160N120SC1 的高性能和可靠性确保了快速充电过程的安全性和效率。
  由于其优异的热性能和电气特性,该器件也适用于各种工业电源系统,如不间断电源(UPS)和工业变频器。在这些应用中,NTBG160N120SC1 能够承受高负载和频繁的开关操作,确保系统的长期稳定运行。

替代型号

STGF160N120HD, IXGH160N120T, FGH160N120SDA

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NTBG160N120SC1参数

  • 现有数量803现货4,000Factory
  • 价格1 : ¥78.62000剪切带(CT)800 : ¥51.22669卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)224毫欧 @ 12A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4,3V @ 2,5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33.8 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V,-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)678 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)136W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK-7
  • 封装/外壳TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA