时间：2025/5/21 19:12:45
阅读：5
NTB90N02是一种基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件通常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其设计目标是提供高效率和高可靠性，适用于各种电源管理应用，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。NTB90N02的最大额定电压为20V，具有非常低的导通电阻特性，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。
NTB90N02采用先进的制造工艺生产，具备优异的热性能和电气性能，能够满足工业级和消费级电子设备的需求。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：87nC
功耗：150W
封装形式：TO-264
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.4mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗。
2. 高电流处理能力，最大支持90A连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于低栅极电荷设计，适合高频应用。
4. 宽泛的工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应多种恶劣环境。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 具备良好的抗静电能力，提高了使用中的稳定性。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 各类高效能功率转换模块
IRLB8748PBF, FDP16N20AE
