时间：2025/5/30 14:12:20
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NTB85N03G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。NTB85N03G 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中，例如开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。
NTB85N03G 的额定电压为 30V，能够承受较高的漏源极电压，同时其最大连续漏极电流可达到几十安培，具体取决于工作条件和散热设计。此外，它还具备较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，提高整体效率。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：126A
最大脉冲漏极电流：350A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：45nC
输入电容：3790pF
总电容：2500pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗和提升效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度，有效减少开关损耗。
4. 出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
5. 小型封装选项，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
NTBG8N03L
IRLB8748PBF
FDP057AN
AO3400
