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NTB85N03G 发布时间 时间:2025/5/30 14:12:20 查看 阅读:10

NTB85N03G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。NTB85N03G 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中,例如开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。
  NTB85N03G 的额定电压为 30V,能够承受较高的漏源极电压,同时其最大连续漏极电流可达到几十安培,具体取决于工作条件和散热设计。此外,它还具备较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗,提高整体效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:126A
  最大脉冲漏极电流:350A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷(典型值):45nC
  输入电容:3790pF
  总电容:2500pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  存储温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗和提升效率。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,有效减少开关损耗。
  4. 出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 小型封装选项,节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC/DC 转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 各类负载开关和保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

NTBG8N03L
  IRLB8748PBF
  FDP057AN
  AO3400

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NTB85N03G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)28V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2150pF @ 24V
  • 功率 - 最大80W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件