NTB85N03G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。NTB85N03G 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中,例如开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。
NTB85N03G 的额定电压为 30V,能够承受较高的漏源极电压,同时其最大连续漏极电流可达到几十安培,具体取决于工作条件和散热设计。此外,它还具备较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗,提高整体效率。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:126A
最大脉冲漏极电流:350A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(典型值):45nC
输入电容:3790pF
总电容:2500pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
存储温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗和提升效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度,有效减少开关损耗。
4. 出色的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。
5. 小型封装选项,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
NTBG8N03L
IRLB8748PBF
FDP057AN
AO3400