NTB5605PG 时间：2025/5/27 19:02:29 阅读：11

NTB5605PG是一种高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的半导体工艺制造。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率转换的应用中。
　　NTB5605PG的特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，使其成为多种工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：79nC
　　总功耗(Ptot)：175W
　　结温范围(Tj)：-55°C to 175°C
　　封装形式：TO-247

特性

NTB5605PG是一款专门设计用于大电流应用的增强型N通道功率MOSFET，其主要特性如下：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流操作时较低的功率损耗，从而提高了整体效率。
　　2. 高额定电流能力使它适合各种大功率应用场景。
　　3. 具备优秀的开关性能，可快速切换状态以减少开关损耗。
　　4. 封装形式为标准TO-247，具有良好的散热能力和机械强度。
　　5. 工作温度范围宽广，适应恶劣环境下的稳定运行需求。
　　这些特性使得NTB5605PG在汽车电子、工业设备及家用电器领域有广泛的应用价值。

应用

NTB5605PG适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 各种电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机等。
　　4. 大功率负载控制，如LED驱动、加热元件控制等。
　　5. 在电池管理系统（BMS）中作为保护开关或充放电控制开关使用。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，NTB5605PG能够满足现代电子系统对高效、紧凑设计的需求。