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NTB5426N 发布时间 时间:2025/6/30 17:00:57 查看 阅读:8

NTB5426N是一款高性能的MOSFET晶体管,主要用于开关和放大电路中。它属于N沟道增强型功率场效应晶体管,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。这款器件适用于各种需要高效能功率转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ
  总功耗:90W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

NTB5426N具有非常低的导通电阻,可以有效降低传导损耗,提高系统效率。此外,该器件还具备快速开关速度和良好的热稳定性,能够适应较宽的工作温度范围。它的高雪崩击穿能力和强健的ESD防护设计,确保了在严苛环境下的可靠性。
  另外,该晶体管采用先进的封装技术,有助于提升散热性能并减少寄生电感对高频工作的干扰。这些特点使得NTB5426N非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。

应用

NTB5426N广泛应用于工业控制、汽车电子、通信电源和消费类电子产品等领域。具体来说,它可以用于以下场合:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关
  2. 各种类型的DC-DC转换器
  3. 电池管理系统中的负载开关
  4. 汽车电子中的电机驱动和照明控制
  5. 高效能逆变器和不间断电源(UPS)系统

替代型号

IRF540N
  STP30NF06L
  FDP5570N
  AO3402A

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