时间：2025/5/29 10:00:05
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NTA7002N是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。这款器件主要设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场合，具有出色的开关特性和较低的功耗。其耐压值为60V，适合多种中低压应用场景，例如电源管理、负载切换、电机驱动以及DC-DC转换器等。该器件凭借其优秀的电气性能和可靠性，在工业和消费类电子领域得到了广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：49W
工作结温范围(Tj)：-55℃至175℃
NTA7002N具有极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提升系统效率。同时，其快速开关能力使其非常适合高频应用环境。此外，该器件具备强大的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持正常运行。
其封装形式TO-252不仅体积小，而且散热性能良好，有助于简化PCB布局设计。综合来看，NTA7002N是一款兼具高性能与高可靠性的功率MOSFET。
NTA7002N适用于多种电力电子设备，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. 工业控制设备中的负载开关
3. 消费类电子产品中的电池保护电路
4. DC-DC转换器和降压/升压变换器
5. 各种类型的电机驱动电路
6. 固态继电器和其他功率切换应用
NTA7001N
IRF7413
AO3400
