NT90RHCE110CB 时间：2025/8/11 1:59:53 阅读：9

NT90RHCE110CB 是一款由 Nanya Technology 生产的 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片主要用于高性能计算、工业设备、网络设备以及消费类电子产品中，提供高速的数据存储与读取能力。该型号属于 DDR SDRAM 系列，具备较高的时钟频率和较低的延迟特性，适合需要快速数据访问的应用场景。

参数

类型：DRAM
　　存储类型：DDR SDRAM
　　容量：128MB
　　数据总线宽度：16位
　　电压：2.3V - 3.6V
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　延迟：CL=2.5, 3
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)

特性

NT90RHCE110CB 是一款专为高性能应用设计的 DDR SDRAM 存储器芯片。其核心特性之一是其较高的数据传输速率，最大可达 166MHz，能够满足对数据吞吐量有较高要求的系统需求。该芯片采用了 16 位的数据总线宽度，确保了数据传输的高效性。此外，该芯片的延迟设置支持 CL=2.5 和 CL=3 两种模式，用户可以根据系统的实际需求选择合适的延迟设置，以平衡性能与稳定性。
　　该芯片采用 2.3V 到 3.6V 的宽电压范围设计，使其适用于多种电源环境，提高了设计的灵活性。封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），具有较小的体积和良好的散热性能，适合嵌入式系统和空间受限的应用场景。
　　NT90RHCE110CB 还具备工业级的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），能够在严苛的环境中稳定运行，广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子等领域。该芯片的可靠性和稳定性使其成为许多高性能嵌入式系统的首选存储解决方案。

应用

NT90RHCE110CB 主要用于需要高性能存储的电子设备中，如工业控制计算机、嵌入式系统、网络路由器、视频采集设备以及汽车电子系统。其高数据传输速率和低延迟特性，使其特别适合用于图像处理、实时数据缓存以及需要高速数据交换的应用场景。此外，该芯片也常用于需要长时间稳定运行的工业设备中，如自动化生产线控制系统、工业监控设备和通信基站等。