NT5TU64M16HG-ACH 是一款由Nanya(南亚科技)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能、低功耗的存储器解决方案。该型号属于DDR4 SDRAM类别,具有较高的存储密度和数据传输速率,广泛应用于服务器、个人电脑、嵌入式系统以及需要大容量内存和高速数据处理的设备中。
容量:1GB
内存类型:DDR4 SDRAM
组织结构:x16位架构
电压:1.2V(标准)
时钟频率:最高可达2666MHz
封装类型:BGA(球栅阵列封装)
工作温度:0°C至85°C或-40°C至85°C(依据具体版本)
数据传输速率:2666Mbps/pin
NT5TU64M16HG-ACH 采用了先进的DRAM技术,具备出色的稳定性和可靠性。其DDR4架构相较于前代DDR3,具有更高的带宽、更低的功耗以及更大的存储密度。该芯片的工作电压为1.2V,显著降低了能耗,有助于提升系统整体能效。
此外,该器件支持多种低功耗模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和深度掉电模式(Deep Power-Down Mode),在系统空闲时可有效降低功耗。芯片还具备温度补偿自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR)功能,以适应不同环境温度下的稳定性需求。
其x16的数据位宽设计允许更高的数据吞吐能力,适合高密度内存模块的设计。封装形式采用BGA,具有良好的电气性能和散热能力,适合高密度PCB布局。
该型号还支持ZQ校准(ZQ Calibration),用于精确调整输出驱动器的阻抗,从而提高信号完整性;同时支持On-Die Termination(ODT)技术,有助于减少高频信号反射,提升系统稳定性。
NT5TU64M16HG-ACH 适用于多种高性能存储系统,如个人电脑、工作站、服务器、工业控制设备、嵌入式系统、网络设备(如路由器和交换机)以及消费类电子产品(如高端平板电脑和智能电视)。
在服务器和数据中心应用中,该芯片可以提供高带宽、低延迟的内存支持,有助于提升数据处理效率和系统响应速度。在工业控制和自动化系统中,其稳定性和可靠性能够满足长时间运行的需求。
由于其低功耗特性,也适用于对能效要求较高的便携式设备和绿色计算平台。此外,该芯片常用于构建高性能DDR4内存条(如UDIMM、SO-DIMM等),广泛应用于各类主板和嵌入式系统设计中。
MT48LC16M16A2B4-6A, K4A4G165WB-BCRC