时间：2025/5/26 21:24:27
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NT5CC256M8IN-DI 是一款基于 NAND 技术的闪存芯片，具有大容量存储和高性能读写能力。它适用于需要高密度数据存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式设备、消费类电子产品等。该芯片采用了先进的制程工艺，确保了低功耗和高可靠性。
容量：256Mb
电压范围：2.7V 至 3.6V
接口类型：8-bit I/O
封装形式：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存取时间：70ns
数据保留时间：10年
擦写周期：100,000 次
NT5CC256M8IN-DI 具备以下主要特性：
1. 高密度存储：采用 NAND 结构设计，提供 256Mb 的存储容量，满足现代电子设备对大数据存储的需求。
2. 快速存取速度：支持快速的数据读写操作，其存取时间可达到 70ns，显著提升系统性能。
3. 低功耗运行：优化的电路设计使其在工作时保持较低的功耗，延长电池供电设备的续航时间。
4. 宽电压支持：兼容 2.7V 至 3.6V 的工作电压范围，便于在不同电源环境下的应用。
5. 高可靠性：具备 100,000 次擦写周期以及长达 10 年的数据保留时间，确保长期使用的稳定性。
6. 良好的温度适应性：能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内正常工作，适合各种工业和消费级应用场景。
NT5CC256M8IN-DI 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
提供大容量存储空间以满足 SSD 对高速、稳定数据存储的需求。
2. 嵌入式系统：
用于工业控制、医疗设备和其他需要可靠存储的嵌入式应用中。
3. 消费类电子产品：
包括数码相机、便携式媒体播放器等，为用户提供高效的数据存储解决方案。
4. 网络通信设备：
在路由器、交换机等设备中用作代码存储或日志记录区域。
NT5CC256M8AN-DI
NT5CC256M8BN-DI
MX25L25635F
