NT5CC256M8IN-DI 是一款基于 NAND 技术的闪存芯片,具有大容量存储和高性能读写能力。它适用于需要高密度数据存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式设备、消费类电子产品等。该芯片采用了先进的制程工艺,确保了低功耗和高可靠性。
容量:256Mb
电压范围:2.7V 至 3.6V
接口类型:8-bit I/O
封装形式:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存取时间:70ns
数据保留时间:10年
擦写周期:100,000 次
NT5CC256M8IN-DI 具备以下主要特性:
1. 高密度存储:采用 NAND 结构设计,提供 256Mb 的存储容量,满足现代电子设备对大数据存储的需求。
2. 快速存取速度:支持快速的数据读写操作,其存取时间可达到 70ns,显著提升系统性能。
3. 低功耗运行:优化的电路设计使其在工作时保持较低的功耗,延长电池供电设备的续航时间。
4. 宽电压支持:兼容 2.7V 至 3.6V 的工作电压范围,便于在不同电源环境下的应用。
5. 高可靠性:具备 100,000 次擦写周期以及长达 10 年的数据保留时间,确保长期使用的稳定性。
6. 良好的温度适应性:能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内正常工作,适合各种工业和消费级应用场景。
NT5CC256M8IN-DI 主要应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):
提供大容量存储空间以满足 SSD 对高速、稳定数据存储的需求。
2. 嵌入式系统:
用于工业控制、医疗设备和其他需要可靠存储的嵌入式应用中。
3. 消费类电子产品:
包括数码相机、便携式媒体播放器等,为用户提供高效的数据存储解决方案。
4. 网络通信设备:
在路由器、交换机等设备中用作代码存储或日志记录区域。
NT5CC256M8AN-DI
NT5CC256M8BN-DI
MX25L25635F