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NT5CC128M16JR-EKI 发布时间 时间:2025/7/22 7:26:40 查看 阅读:7

NT5CC128M16JR-EKI 是一款由 Nanya(南亚科技)生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其LPDDR3(低功耗双倍数据速率第三代)系列。该芯片容量为256MB,工作电压为1.35V,数据传输速率为1600Mbps,采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,尺寸小巧,适用于需要高效能与低功耗的移动设备和嵌入式系统。

参数

容量:256MB
  电压:1.35V
  数据速率:1600Mbps
  封装类型:FBGA
  引脚数:134
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

NT5CC128M16JR-EKI 的主要特性之一是其低功耗设计,适用于移动设备和嵌入式系统,有助于延长电池寿命并减少散热需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够有效保持数据完整性,同时降低系统功耗。此外,其1600Mbps的高速数据传输率确保了在处理复杂任务时的数据吞吐能力,适用于需要快速响应的应用场景。采用FBGA封装技术,使芯片具有良好的电气性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。
  该芯片还具备高可靠性和稳定性,能够在宽温范围内(-40°C至85°C)正常工作,适应各种严苛环境。其134引脚的封装设计优化了信号完整性和电源管理,减少了电磁干扰(EMI),提高了整体系统性能。此外,NT5CC128M16JR-EKI 支持多种工作模式,包括突发模式、预充电模式和低功耗待机模式,使设计人员能够根据具体应用需求灵活配置内存操作。

应用

NT5CC128M16JR-EKI 主要应用于需要高性能与低功耗结合的设备,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和物联网(IoT)设备。它也适用于嵌入式系统,例如工业控制设备、便携式医疗设备和车载信息娱乐系统。在消费电子领域,该芯片可用于提升设备的多任务处理能力和图形性能,确保流畅的用户体验。此外,该芯片的稳定性和宽温工作范围使其在工业和汽车电子等要求严苛的环境中具有广泛的应用潜力。

替代型号

NT5CC128M16JR-EKI的替代型号包括NT5CB128M16DR-EK1和NT5CC128M16JR-EK1,它们在性能和封装上具有相似特性,可作为替代选择。

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