时间：2025/9/2 10:43:17
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NT5CB256M8BN-CG 是一款由Nanya（南亚科技）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于DDR3 SDRAM类别。该芯片的容量为256MB，数据宽度为8位，适用于需要较高内存带宽和较低功耗的应用场景。该封装采用常见的TSOP（薄型小外形封装）形式，便于在各种嵌入式系统和工业控制设备中使用。NT5CB256M8BN-CG 工作温度范围较宽，适合工业级应用，具备良好的稳定性和可靠性。
容量：256MB
数据宽度：8位
电压：1.5V（标准）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
时钟频率：高达800MHz
延迟：CL=5,6,7,8,9,10,11
封装尺寸：54-ball TSOP
接口类型：DDR3 SDRAM
NT5CB256M8BN-CG 是一款高性能、低功耗的DDR3 SDRAM芯片，具有较高的数据传输速率，支持高达800MHz的时钟频率，能够满足现代嵌入式系统对内存带宽的需求。该芯片采用1.5V的供电电压，相较于传统的DDR2 SDRAM，功耗更低，适合对功耗敏感的应用场合。
此外，NT5CB256M8BN-CG 支持多种延迟设置（CL=5至11），可以根据系统的具体需求进行灵活配置，从而在性能与稳定性之间取得平衡。其TSOP封装形式不仅便于焊接和组装，而且在高频工作条件下表现出良好的电气性能。
NT5CB256M8BN-CG 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器与交换机、通信模块、智能卡终端、视频监控设备以及其他需要中等容量高速内存的电子设备。其低功耗和宽温度范围的特性使其特别适合工业级和车载应用。
IS42S16800J-6BLI, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B2G1646C-BCK0
