时间：2025/6/20 14:59:58
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NT50326QG-056A 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率的应用场景设计。该器件采用增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻特性，适用于电源管理、无线充电、工业逆变器及新能源汽车等应用领域。
这款晶体管具备极低的栅极电荷以及快速的开关速度，能够在高频条件下实现高效率的能量转换，同时减少了整体系统的尺寸和成本。
型号：NT50326QG-056A
类型：GaN 功率晶体管
工作电压：650V
最大电流：32A
导通电阻：40mΩ
封装形式：TO-247-4L
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷：38nC
反向恢复时间：无反向恢复
频率范围：支持高达 MHz 级别
1. 采用先进的氮化镓材料，具有更高的功率密度和更低的损耗。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，能够显著降低系统功耗。
3. 支持高频操作，适合 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及其他高频应用场景。
4. 高击穿电压 (650V)，确保在高压环境下依然可靠运行。
5. 提供增强型结构 (e-mode)，无需额外的驱动电路即可直接控制开关状态。
6. 工作温度范围宽广，适用于恶劣环境下的应用需求。
7. 封装兼容性强，便于集成到现有的 PCB 设计中。
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 服务器及通信设备中的电源模块
3. 新能源汽车的车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器
4. 太阳能逆变器和储能系统
5. 快速充电器及适配器
6. 工业级电机驱动与逆变器
7. 高频无线能量传输装置
NT50326QG-060A, NT50327QG-056A
