NT22L33-QFN-TR是一款低噪声、低相位噪声、高稳定性电压控制振荡器(VCO),专为无线通信、射频(RF)和微波系统等高性能应用设计。该振荡器基于先进的硅技术制造,采用紧凑的QFN封装,适用于需要高频率稳定性和可靠性的高端电子设备。这款VCO能够在广泛的频率范围内提供出色的相位噪声性能,使其成为通信基础设施、测试设备和精密测量仪器的理想选择。
型号:NT22L33-QFN-TR
类型:电压控制振荡器(VCO)
输出频率范围:10 MHz至2.2 GHz
相位噪声:-155 dBc/Hz @ 10 kHz偏移
频率调谐范围:典型值100 MHz
供电电压:3.3 V
输出幅度:0 dBm(典型值)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:QFN
功耗:典型值15 mA
NT22L33-QFN-TR具有多项关键特性,以满足高性能射频系统的需求。首先,它具备极低的相位噪声,这在要求高信号纯度的无线通信系统中至关重要。其相位噪声在10 kHz偏移时可达到-155 dBc/Hz,这显著降低了系统误码率,并提高了整体信号质量。
其次,该VCO的频率调谐范围较宽,可达100 MHz,允许设计人员根据系统需求进行精确的频率调整。其电压控制输入对控制电压的变化响应线性良好,确保了频率调节的稳定性和精确性。
此外,NT22L33-QFN-TR采用3.3 V供电电压,功耗低,典型工作电流为15 mA,适用于电池供电设备和低功耗应用。其紧凑的QFN封装不仅节省了PCB空间,还提高了热稳定性和机械可靠性。
器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种恶劣环境条件,确保了在工业和通信应用中的长期稳定性。输出信号幅度为0 dBm(典型值),适合直接驱动射频前端模块,减少了对外部放大器的需求。
NT22L33-QFN-TR广泛应用于无线基站、通信测试设备、频谱分析仪、频率合成器以及精密测量仪器中。其低相位噪声和高稳定性使其成为5G通信、射频收发器和测试仪表中的理想选择。由于其紧凑的封装和低功耗特性,也适用于便携式射频设备和物联网(IoT)通信模块。
HMC513LC4B, VCO0222LF