类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：120A
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：Power-SO10

NT20067-PR 具备多项优异的电气和物理特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻仅为 3.7mΩ，这在同类器件中表现突出，尤其是在高电流条件下，能够有效减少发热并提高整体可靠性。
　　其次，NT20067-PR 采用先进的 Trench MOS 工艺，增强了电流处理能力和开关性能。这种结构优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性，使其能够在高压环境下可靠运行。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，从而降低开关损耗，特别适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
　　在热管理方面，NT20067-PR 设计有良好的热传导性能。其 Power-SO10 封装不仅提供了较小的 PCB 占用面积，还通过优化的引脚布局增强了散热能力。这种封装方式适合自动贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　此外，该器件具有宽泛的栅源电压范围（±20V），允许在较宽的驱动电压下稳定工作，同时也具备较强的抗干扰能力。NT20067-PR 还具有良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于严苛的工作环境。
　　综合来看，NT20067-PR 是一款性能优异、可靠性高的功率 MOSFET，适用于多种高效率电源转换和功率控制应用。

NT20067-PR 适用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源开关控制以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高效率和良好的热稳定性也使其在汽车电子、消费类电子产品和通信设备中得到广泛应用。

SiSSPM60P12T2, IRF1404, FDP047N60